Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT, Insulated-gate bipolar transistor) – силовой полупроводниковый прибор, состоящий из входных ключей на базе полевых транзисторов и выходных на базе биполярных. Управляющим электродом является затвор (как у полевого транзистора), два других электрода – эмиттер и коллектор (как у биполярного).
Условно графическое обозначение (УГО)
Внешний вид транзистора IGBT в отечественных нормативах не определен. Рекомендуется использовать зарубежное обозначение.
